掩模对准光刻机是将二维图案转印到平坦基板上的方法。可以通过以下两种基本方法之一实现图案化：直接写入图案，或通过掩模版/印章转移图案。限定的图案可以帮助限定衬底上的特征（例如蚀刻），或者可以由沉积的图案形成特征。
通过计算机辅助设计（CAD）定义图案模式。多数情况下，这些特征是使用抗蚀剂形成的，可以使用光（使用光致抗蚀剂），电子束（使用电子束抗蚀剂）或通过物理冲压（不需要抗蚀剂，也叫纳米压印）来定义图案特征。图案的特征可以被转移到另一个层蚀刻，电镀或剥离。
掩模对准光刻机的技术领域：
根据所需的特征，有几种不同的光刻方法。蕞常见的类型是光学光刻和电子束光刻。我们还提供软和直接写光刻。
下表比较了我们可用的一些常见光刻方法。批处理是指能够一次对整个样品进行图案化的能力，例如通过光掩模或使用压模的写入方法描述了材料是如何形成图案，例如通过UV光，电子束，或直接机械接触。
掩模对准光刻机的用料：
1、光刻胶：
抗蚀剂是悬浮在溶剂中的聚合物。根据抗蚀剂的类型，可以使用紫外线或电子束选择性地将其除去。可以将所有抗蚀剂大致分为正抗蚀剂或负抗蚀剂，常见的是正抗蚀剂。在正性抗蚀剂中，在显影抗蚀剂后将暴露的区域除去。在负性抗蚀剂中，在显影抗蚀剂后仍保留了暴露的区域。
不同类型的光刻使用不同类型的抗蚀剂，因此您需要检查哪种抗蚀剂适合您的工艺。
2、显影剂：
显影剂是用于在曝光后蚀刻掉光致抗蚀剂的基础。几种可用的显影剂：AZ 726、AZ 300、AZ 400K、MF 319和Microposit Developer。可以在设备上使用显影剂。需要检查每个设备是否允许或允许哪些显影剂。
3、掩模版：
掩模版用于在曝光期间阻挡光线，因此仅曝光所需图案内的光刻胶。如果在多个样本中需要相同的模式，这将很有用。掩模是具有一层铬和一层光刻胶的玻璃或熔融石英衬底。光刻胶以所需的图案曝光，然后显影。之后，使用铬蚀刻在掩模中设置图案。
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