光刻机在技术上主要分以下4个类型

光刻机就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。

　　这就是光刻机的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

　　光刻机技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，然后把图像信息传递到晶片或介质层上的一种工艺。

　　光刻机的技术分类：

　　1、光学光刻：

　　在光学光刻中，光致抗蚀剂通过光掩模用紫外光曝光。此方法可以图案化多种功能，但分辨率有限。为了获得更高的分辨率，使用了较短波长的光（G线435.8nm，H线404.7nm，I线265.4nm）。我们有这个光学光刻系统；

　　接触光刻：利用我们提供的系统，最小特征约为0.8μm，蕞小对准公差约为0.5μm。

　　2、电子束光刻：

　　代替在光学光刻中使用光源，电子束（电子束）光刻利用电子束在样品上生成图案。由于波长短得多，因此我们可以实现更高的分辨率；但是，由于它是单个电子束写入样品，因此在样品上生成图案所需的时间更长。使用标准抗蚀剂，电子束工具可以实现蕞小7 nm的特征以及1nm的对准公差。这是直接写技术。

　　3、软光刻：

　　这将使用预先生成的模具作为基础来创建三维结构。将诸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）之类的软材料倒入模具中并固化。当它从表面剥离时，它保持了阴模的状态。PDMS材料通常附着到另一层，例如玻璃或另一层PDMS。软光刻通常与较大的特征器件相关联。具有20至5000 μm范围内的特征的微流体系统通常是使用软光刻技术生产的。另外，我们的用户通过称为纳米压印光刻的技术使用该技术来生产纳米结构。

　　4、直接光刻：

　　如果图案仅将被使用一次，则直接产生比在模板上产生用于在样品上产生图案的掩模更为经济。直接写入用于创建光刻掩模，还可以用于生成不同的高度或灰度特征。我们可以使用设备进行直接光刻印刷。

　　无掩模光刻：使用我们的无掩模光刻系统，我们可以实现蕞小2μm的特征和0.5μm的对准公差。