接近式光刻机在单室设计上可以满足研发工作，与EVG的自动化系统*兼容。EVG101支持大300 mm的晶圆，可配置为旋涂或喷涂和显影。使用EVG先进的OmniSpray涂层技术，在3D结构晶圆上实现光刻胶或聚合物的共形层，用于互连技术。这确保了高粘度光致光刻胶或聚合物的低材料消耗，同时改善了均匀性并防止了扩散。
它的分类：
接近式光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动
1、手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
2、半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
3、自动： 指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
接近式光刻机的结构及作用：
1、测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。
2、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
3、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
4、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
5、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
6、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
7、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
8、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
9、物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
10、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
11、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
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