EVG610-单面、双面光刻系统是一款紧凑型多功能研发系统,可处理零碎片和大200 mm的晶圆。
      
      
         一、简介
      
      
         雷竞技推单 EVG610支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。
      
      
       EVG610-单面、双面光刻系统
      
      
         二、雷竞技推单 应用
      
      
         MEMS,RF器件,功率器件,化合物半导体等方面的图形光刻应用。
      
      
         三、雷竞技推单 特征
      
      
         晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
      
      
         顶部和底部对准功能
      
      
         高精度对准
      
      
         自动楔形补偿序列
      
      
         电动的和程序控制的曝光间隙
      
      
         支持新的UV-LED技术
      
      
         小化系统占地面积和设施要求
      
      
         分步流程指引
      
      
         远程技术支持
      
      
         多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同语言)
      
      
         敏捷的处理和转换重新加工
      
      
         台式或独立式带防振花岗岩台面
       
      
      
         附加功能:
      
      
         键合对准
      
      
         红外对准
      
      
         纳米压印光刻(NIL)
       
      
      
         四、技术参数
      
      
         1.掩模版-基板-晶圆尺寸
      
      
         掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
      
      
         基片/晶圆尺寸:100mm/150mm/200mm
      
      
         晶圆厚度:高达10mm
       
      
      
         2.对准模式
      
      
         顶部对准精度:≤ ± 0,5 µm
      
      
         底部对准精度:≤ ± 2,0 µm
      
      
         红外对准模式:≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料
       
      
      
         3.顶部显微镜
      
      
         移动范围1:100mm(X轴:32-100mm;Y轴:-50/+30mm;)
      
      
         移动范围2:150mm(X轴:32-150mm;Y轴:-75/+30mm;)
      
      
         移动范围1:200mm(X轴:32-200mm;Y轴:-100/+30mm;)
      
      
         可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
       
      
      
         4.底部显微镜
      
      
         移动范围1:100mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
      
      
         移动范围2:150mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
      
      
         移动范围1:200mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
      
      
         可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
       
      
      
         5.曝光器件
      
      
         (1)波长范围:
      
      
         NUV:350 - 450 nm
      
      
         DUV:低至200 nm (可选)
       
      
      
         (2)光源:
      
      
         汞灯350W , 500W UV LED灯
       
      
      
         (3)均匀性:
      
      
         150mm:≤ 3%
      
      
         200mm:≤ 4%
      
      
         (4)滤光片:
      
      
         汞灯:机械式
      
      
         UV LED:软件可调
       
      
      
         6.曝光模式
      
      
         接触:硬、软接触,真空
      
      
         曝光间隙:1 - 1000 µm
      
      
         线宽精度:1µm
      
      
         模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
      
      
         可选:内部,浸入,扇形
       
      
      
         7.可选功能
      
      
         键合对准精度:≤ ± 2,0 µm
      
      
         纳米压抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
      
      
         纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率:≤ 50 nm图形分辨率
       
      
      
         8.设施
      
      
         真空:< 150 mbar
      
      
         压缩气体:6 bar
      
      
         氮气:可选2或者6 bar
      
      
         排气要求:汞灯需要;LED不需要
       
      
      
         9.系统方式
      
      
         系统:windows
      
      
         文件分享和软件备份
      
      
         无限程序储存,参数储存在程序内
      
      
         支持多语言,含中文
      
      
         实时远程支持,诊断和排除故障
       
      
      
         10.楔形补偿
      
      
         全自动- 软件控制
       
      
      
         11.规格
      
      
         占地面积:0.55m²
      
      
         高度:1.01m
      
      
         重量:约250kg
      
      
         纳米压印分辨率:≤ 40 nm(取决于模板和工艺)
      
      
         支持工艺:Soft UV-NIL
      
      
      